ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術ってすんごい？低消費電力で低コストの次世代リソグラフィ技術とは!?
💡 NIL技術は、マスク（型）をウエハーに直接押し付けることで、微細な回路パターンを作成します。従来の光露光技術では課題となっていた、マスクとウエハーの高精度な位置合わせやパーティクル制御を克服することで、低消費電力かつ低コストで微細化を実現できます。
💡 NIL技術は、EUV露光装置に匹敵する性能を有したNIL装置の実用化が進んでいます。この装置は、電子ビームを使って実寸サイズのパターンを描いたマスターマスクを作成し、NIL装置を使ってレプリカマスクを大量に造っています。これにより、5nm世代に必要な最小線幅14nmのパターン形成が可能になっています。
💡 NIL技術は、半導体デバイス製造への応用が期待されています。半導体関連企業はNILの量産化に取り組んでおり、欠陥密度の低減、寸法均一性の向上、重ね合わせ精度の向上が進んでいます。キヤノン、大日本印刷、東芝などの企業がNIL技術の開発と実用化に取り組んでおり、最先端の半導体デバイス製造への貢献が期待されています。
では、これから『ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術』についてご説明します。
NIL技術は、微細な回路パターンを低消費電力かつ低コストで作成できる次世代リソグラフィ技術として期待されています。
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術の概要
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、マスク（型）をウエハーに直接押し付けることで、微細な回路パターンを作成する次世代リソグラフィ技術です。
従来の光露光技術では課題となっていた、マスクとウエハーの高精度な位置合わせやパーティクル制御を克服することで、低消費電力かつ低コストで微細化を実現できます。
✅ ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、ナノ構造が埋め込まれたマスク（型）をウエハーに直接押し付けることで、微細な回路パターンを作成する次世代リソグラフィ技術です。従来の光露光技術では課題となっていた、マスクとウエハーの高精度な位置合わせやパーティクル制御を克服することで、低消費電力かつ低コストで微細化を実現できます。また、複雑な2次元、3次元の回路パターンを1回のインプリントで形成することが可能です。
✅ NILは、従来技術と比較して露光時の消費電力を約1/10に低減できます。これは、NILが光回折効果を生じさせないため、設計の自由度が高く、微細なパターンを形成できることが理由です。さらに、NILは薬液を使用しないため、環境負荷も低く、低コストでの製造が可能です。
✅ DNPでは、立体形状テンプレートを用いたNILの開発も進めています。この方式を採用することにより、自由な立体形状を形成することが可能となるため、これまでにない新しい素子や機能の実現が期待されています。すでにさまざまな形状のサンプルも作製されており、今後の3次元テンプレートへの応用展開が期待されます。
さらに読む ⇒DNP 大日本印刷株式会社出典/画像元: https://www.dnp.co.jp/biz/products/detail/20172753_4986.htmlナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、ナノ構造が埋め込まれたマスク（型）をウエハーに直接押し付けることで、微細な回路パターンを作成する次世代リソグラフィ技術です。
従来の光露光技術とは異なり、マスクとウエハーの高精度な位置合わせやパーティクル制御などの課題を克服することで、低消費電力かつ低コストで微細化を実現できます。
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、ナノ構造が埋め込まれたマスク（型）をウエハーに直接押し付けることで、微細な回路パターンを作成する次世代リソグラフィ技術です。
従来の光露光技術とは異なり、マスクとウエハーの高精度な位置合わせやパーティクル制御などの課題を克服することで、低消費電力かつ低コストで微細化を実現できます。
また、複雑な2次元、3次元の回路パターンを1回のインプリントで形成することが可能です。
やっぱ俺って天才かも。難しい技術の話でも、サラッとうまく説明できちゃうな〜
キヤノンのNIL技術の開発と実用化
キヤノンは長年NIL技術の研究開発に取り組んできており、ウエハー上の樹脂の量と位置の制御、マスクとウエハーの高精度な位置合わせ、パーティクル制御などの課題を克服してきました。
これにより、微細な回路パターンを低消費電力かつ低コストで作成できるようになっています。
✅ キヤノンは長年ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術の研究開発に取り組んできており、ウエハー上の樹脂の量と位置の制御、マスクとウエハーの高精度な位置合わせ、パーティクル制御などの課題を克服してきました。これにより、微細な回路パターンを低消費電力かつ低コストで作成できるようになっています。
✅ キヤノンが実用化したNIL装置は、EUV露光装置に匹敵する性能を有しており、5nm世代に必要な最小線幅14nmのパターン形成が可能です。この装置は、電子ビームを使って実寸サイズのパターンを描いたマスターマスクを作成し、NIL装置を使ってレプリカマスクを大量に造っています。
✅ キヤノンのNIL装置では、マスクに欠陥が発生した場合には、良品に交換して使用しています。これにより、製造工程の安定性と歩留まりの向上が図られています。
さらに読む ⇒日経クロステック（xTECH）出典/画像元: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/mag/ne/18/00007/00239/?P=3キヤノンは長年NIL技術の研究開発に取り組んできており、ウエハー上の樹脂の量と位置の制御、マスクとウエハーの高精度な位置合わせ、パーティクル制御などの課題を克服してきました。
また、キヤノンはEUV露光装置に匹敵するNIL装置を実用化しており、5nm世代に必要な最小線幅14nmのパターン形成が可能です。
この装置は、電子ビームを使って実寸サイズのパターンを描いたマスターマスクを作成し、NIL装置を使ってレプリカマスクを大量に造っています。
キヤノンは長年NIL技術の研究開発に取り組んできており、ウエハー上の樹脂の量と位置の制御、マスクとウエハーの高精度な位置合わせ、パーティクル制御などの課題を克服してきました。
また、キヤノンはEUV露光装置に匹敵するNIL装置を実用化しており、5nm世代に必要な最小線幅14nmのパターン形成が可能です。
この装置は、電子ビームを使って実寸サイズのパターンを描いたマスターマスクを作成し、NIL装置を使ってレプリカマスクを大量に造っています。
マスクの欠陥が発生した場合には、良品に交換して使用しています。
あらまぁ、キヤノンさんてば、よう頑張ってますなぁ。さすが大企業さんや
NIL技術の半導体製造への応用
大日本印刷、キオクシア、キヤノンが共同開発するナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、EUV露光と比べて消費電力を10分の1に抑えられる可能性がある。
これは、NILがシンプルな製造プロセスで、EUV露光のように大電力を消費しないためである。
✅ 大日本印刷、キオクシア、キヤノンが共同開発するナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術は、EUV露光と比べて消費電力を10分の1に抑えられる可能性がある。これは、NILがシンプルな製造プロセスで、EUV露光のように大電力を消費しないためである。
✅ NILは量産利用にはまだ課題が多いものの、技術開発用では回路線幅5ナノメートル（nm）ノードまで対応可能という。3社は量産技術の確立を目指して開発を進めている。
✅ 3社は、NILの開発を促進することで、脱炭素社会の実現に貢献したいと考えている。製造工程における消費電力の削減に取り組む半導体メーカーやユーザーにNILを訴求していく。
さらに読む ⇒ ニュースイッチ by 日刊工業新聞社出典/画像元: https://newswitch.jp/p/27760NIL技術は、光学部品だけでなく、半導体デバイスの製造にも応用されています。
半導体関連企業はNILの量産化に取り組んでおり、欠陥密度の低減、寸法均一性の向上、重ね合わせ精度の向上が進んでいます。
キヤノン、大日本印刷、東芝などの企業がNIL技術の開発と実用化に取り組んでおり、最先端の半導体デバイス製造への貢献が期待されています。
NIL技術は、光学部品だけでなく、半導体デバイスの製造にも応用されています。
半導体関連企業はNILの量産化に取り組んでおり、欠陥密度の低減、寸法均一性の向上、重ね合わせ精度の向上が進んでいます。
キヤノン、大日本印刷、東芝などの企業がNIL技術の開発と実用化に取り組んでおり、最先端の半導体デバイス製造への貢献が期待されています。
へー、半導体にも使えるんや！知らんかったわ
キヤノンのNIL製造装置の発売
キヤノンは、NIL技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売しました。
この装置は、従来の投影露光装置と比べて消費電力を大幅に削減でき、CO2の低減にも貢献します。
✅ キヤノンは、NIL技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売しました。この装置は、従来の投影露光装置と比べて消費電力を大幅に削減でき、CO2の低減にも貢献します。光学系という介在物がないため、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できます。
✅ 「FPA-1200NZ2C」は、最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノード（最小線幅14nm）のパターン形成が可能で、マスクを改良することで2ナノノード（最小線幅10nmレベル）への対応も期待されています。これにより、多層化する半導体製造に必要な高精度の位置合わせや微粒子などによる欠陥の低減が実現します。
✅ この装置は、新開発の環境制御技術を採用しており、微粒子の発生や混入を抑制します。これにより、微細かつ複雑な回路形成が可能となり、最先端の半導体デバイス製造に貢献します。
さらに読む ⇒Canon Global出典/画像元: https://global.canon/ja/news/2023/20231013.htmlキヤノンは、NIL技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売しました。
この装置は、従来の投影露光装置と比べて大幅に消費電力を削減でき、CO2の低減にも貢献します。
また、1回のインプリントで最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノードにあたる最小線幅14nmのパターン形成ができ、さらにマスクを改良することで、2ナノノードへの対応も期待されています。
また、新開発の環境制御技術を採用しており、微細かつ複雑な回路形成を可能にします。
キヤノンは、NIL技術を使用した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売しました。
この装置は、従来の投影露光装置と比べて大幅に消費電力が削減できるため、CO2の低減にも貢献します。
また、1回のインプリントで最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノードにあたる最小線幅14nmのパターン形成ができ、さらにマスクを改良することで、2ナノノードへの対応も期待されています。
また、新開発の環境制御技術を採用しており、微細かつ複雑な回路形成を可能にします。
さすがキヤノンばい！世界をリードし続けてるのは伊達じゃないとよ〜
今回は、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術についてご紹介しました。
NIL技術は、低消費電力かつ低コストで微細化を実現できる次世代リソグラフィ技術として期待されています。
今後もNIL技術の開発が進み、半導体デバイスやその他の分野での応用が拡大していくことが期待されます。
💡 NIL技術は、微細な回路パターンを低消費電力＆低コストで作成可能
💡 半導体デバイス製造への応用が期待されるNIL技術
💡 キヤノンがNIL製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売
